سوئیچ های حافظه را آلیاژهای جدید به عمق ترابرد ذرات، کمک و سرعت انتقال اطلاعات را افزایش خواهد داد.

به گزارش خبرنگار علمی باشگاه خبرنگاران محققان جوان موفق به ساخت رشته های نانو کوچکی به عمق ترابرد بالا شدند.

محققان سنگاپوری نشان داده اند رشته های نانو اکسید تیتانیوم با فیلم های نازک کاربدری در سوئیچ های مقاومتی سرانجام موفق به کشف این آلیاژها و همچنین ساخت روابط مستحکم انها شدند.

به گفته پژوهشگران این سوئیچ ها که قرار است به صورت صفر با یک عمل کرده و از طریق فرآیند سازه از پارگی یا تشکیل مجدد روش های رفع عیب به شرایطی مناسب دست پیدا کنند.

رفع اثرات سوء سطحی و طراحی خاص با تکنیک پروپ از جمله ویژگی های این روش، روش خاص بوده که مورد استفاده و به کار گرفته شد./ع2
برچسب ها: آلیاژ ، حافظه ، اطلاعات
اخبار پیشنهادی
تبادل نظر
آدرس ایمیل خود را با فرمت مناسب وارد نمایید.
آخرین اخبار