ترانزیستورهای نانولوله کربنی یکی از عناصر مهم و جذاب برای تولید مدارهای الکترونیکی کامپیوترهای نسل جدید هستند. این ترانزیستورها نسبت به مدارهای فعلی، هم عملکرد بالاتری و هم مصرف انرژی کمتری دارند. این بهبود عملکرد به شکل قابل توجهی محسوس است به طوری که عملکرد آن‌ها سه برابر سریع‌تر از مدارهای فعلی است این در حالی است که مصرف انرژی‌ آن‌ها یک سوم این مدارهاست. این مدارها دارای کاربردهای متعددی است به طوری که از آن‌ها در ساخت ادوات مختلف از کامپیوترهای معمولی و تلفن‌های هوشمند گرفته تا ابررایانه‌ها می‌توان استفاده کرد. 

 

محققان مي گويند دانشگاه استنفورد با استفاده از روش جدیدی بر این مشکلات پیروز شدند و اولین ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی را تولید کردند. این ترانزیستور اثرمیدان در مقیاس بسیار کوچکی ساخته شده است. 

 

در پژوهش جدیدی که میترا و همکارانش در دانشگاه استنفورد انجام دادند، نشان داده شد که می‌توان از این روش برای تولید ترانزیستورهای اثرمیدان بزرگ استفاده کرد. این گروه در نهایت موفق به ساخت ترانزیستورهایی با کانال‌های دارای ابعاد 20 تا 90 نانومترشدند. 

 

این گروه نشان دادند که ترانزیستورهای اثرمیدان مبتنی بر نانولوله‌ کربنی با کانال 32 نانومتری در فرکانس 100 کیلوهرتز کار کرده و تنها 130 نانووات در ولتاژ 2 ولت انرژی مصرف می‌کند.

انتهای پیام/