فیزیک‌دانان دانشگاه آرکانساس خبر دادند:
ایجاد فاز در لایه‌های نانومقیاس برای ساخت "قطعات الکترونیکی" با کارآیی بالاتر
فیزیک‌دانان دانشگاه آرکانساس موفق به ایجاد "فازهای الکترونیکی" و مغناطیسی جدیدی در فیلم‌های بسیار نازک از مواد مغناطیسی شدند.
به گزارش خبرنگار فناوری های نوین باشگاه خبرنگاران؛ فیزیک‌دانان دانشگاه آرکانساس موفق به ایجاد فازهای الکترونیکی و مغناطیسی جدیدی در فیلم‌های بسیار نازک از مواد مغناطیسی شدند. با این کار دسته‌ای جدید از مواد تولید می‌شود که می‌تواند برای ساخت ادوات الکترونیکی جدید مورد استفاده قرار گیرد .
جک چاخالیان از محققان این پروژه می‌گوید: فشار ابزاری مناسب برای تغییر خواص برخی مواد است، اما چگونه باید فشار را به مواد در مقیاس نانو وارد کرد. ما موفق به ارائه روشی برای اعمال فشار روی نانومواد نازک شدیم. با این کار می‌توان "فازهای مغناطیسی" و الکترونیکی جدید در این مواد ایجاد کرد .
جک چاخالیان و همکارانش موفق به یافتن راهی برای اعمال فشار روی مواد مغناطیسی شدند، این کار با تغییر فاصله میان اتم‌های موجود در نمونه و زیرلایه انجام می‌شود. این گروه تحقیقاتی دریافته است که اعمال فشار روی بلورهای بزرگ نمی‌تواند تغییر موردنظر را به‌وجود آورد. به همین دلیل پژوهشگران این پروژه، روی اعمال فشار کنترل شده بر لایه‌های نانومقیاس مطالعه کردند .
جک چاخالیان افزود طبیعت بهترین معلم ماست، اگر ماده‌ای رسانای الکتریکی باشد، صرف‌نظر از ابعاد آن، می‌تواند جریان الکتریکی را از خود عبور دهد. در دهه 1990 مشخص شد که اگر ابعاد یک ماده کوچک شود برخی از خواص آن به شدت تغییر می‌کند. به همین دلیل تحقیقات به سمتی رفت که بتوانیم ذرات را کوچک کنیم، این کار به قدری پیش رفت که در حال حاضر می‌توان نانوساختارها را تولید کرد. پژوهشگران در سراسر جهان به دنبال بررسی دلیل تغییر خواص ماده با کوچک‌تر شدن ابعاد هستند .
این گروه تحقیقاتی در راستای پاسخ به این سوالات روی رفتار لایه‌هایی با ضخامت چند آنگستروم مطالعه کردند. این سومین مقاله‌ای است که توسط این گروه در نشریه Nature به چاپ رسیده است.
انتهای پیام/
