ساخت ریزترین ترانزیستور جهان به کمک "فناوری نانو"
کارشناسان به کمک فناوری جدید توانستند قابلیت های این ترانزیستورها را تا 20 درصد سریع‌تر، 35 درصد کم مصرف تر و 15 درصد کوچک تر از فناوری 20 نانومتری رایج است.
به گزارش خبرنگار علمی باشگاه خبرنگاران ، همکاری مشترک شرکت سامسونگ و گلوبال‌فاندرز منجر به ارائه فناوری پردازش ترانزیستور FinFET 14 نانومتری خواهد شد. تولید انبوه این ترانزیستورها از اواخر سال 2014 آغاز خواهد شد.
این فناوری توسط شرکت سامسونگ ایجاد شده و لیسانس آن توسط گلوبال‌فاندرز خریداری شده‌است. اساس فناوری پردازش FinFET 14 نانومتری مشابه فناوری است که در حال حاضر برای طراحی سیستم‌های کم مصرف روی تراشه (SoC) استفاده می‌شود. در این فناوری به جای آن که از سیستم‌های ترانزیستوری دو بعدی مسطح استفاده شود که محدودیت‌هایی نیز با خود به همراه دارد، از ترانزیستورهای سه بعدی استفاده شده‌است. این فناوری 20 درصد سریع تر، 35 درصد کم مصرف تر و 15 درصد کوچک تر از فناوری 20 نانومتری رایج است.
در این فناوری دروازه تماسی بسیار کوچک شده در نتیجه می‌توان سیستم متراکم‌تر و کوچک‌تری ایجاد کرد، با این کار نیاز صنعت تولید حافظه برآورده خواهد شد. طراحان دستگاه‌های الکترونیکی با استفاده از این فناوری جدید امکان طراحی و ساخت ادوات الکترونیکی جدید با کارایی بالاتر را خواهند داشت.
لیزا سو از مدیران شرکت ای‌ام‌دی (AMD) می‌گوید: این همکاری مشترک منجر به ارائه فناوری FinFET 14 نانومتری به دنیای الکترونیک خواهد شد، با این کار برخی یافته‌های علمی ما می‌توانند به محصول تبدیل شوند. همکاری گلوبال‌فاندرز و سامسونگ به شرکت ای‌ام‌دی امکان می‌دهد تا نسل جدید محصولات خود را تولید کند.
استفان وو از مدیران شرکت اس‌ال‌بی (System LSI Business) می‌گوید: این همکاری مشترک راهبردی به شرکت‌های نیمه‌هادی امکان استفاده از فناوری FinFET 14 نانومتری را می‌دهد. ما نیز می‌توانیم محصولات خود را براساس نیاز مشتریان خود توسعه دهیم.
انتهای پیام/
