به گزارش خبرنگار گروه استان های باشگاه خبرنگاران جوان از سمنان  ؛ مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان گفت: ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، فاطمه کریمی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره  88721 به ثبت رسید.
اروجی تصریح کرد : این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی باله ای شکل با فناوری سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی که دارد، مورد مناسبی برای ساخت ترانزیستور با فناوری بیان شده است.
وی افزود: در این ساختار از 2 راه کار همزمان باریک کردن قسمت بالایی کانال و گستردگی مدور سمت پایینی کانال استفاده شده و با این نوع اصلاح، اثر خودگرمایی، اثرات کانال کوتاه، اثر حامل‌های داغ، قابلیت اطمینان به ساختار، طول عمر، سرعت افزاره و به دنبال آن، ولتاژ شکست ساختار به طور همزمان، بهبود یافته است.
انتهای پیام / ن