ساخت نسل جديد ترانزيستورها به کمک فناوري لايه نازک
پژوهشگران روش ساده‌ای برای تولید لایه‌های نازک دی‌سلنید مولیبدن ارائه کردندکه با استفاده از این لایه‌های نازک، ترانزیستورهای اثرمیدان جدیدی ساختند که عمکرد بهتری نسبت به ترانزیستورهای رایج دارد.
به گزارش خبرنگار فناوری‌های نوین باشگاه خبرنگاران؛ پژوهشگران دانشگاه رایس با همکاری محققان دانشگاه صنعتی نانیانگ سنگاپور موفق به ارائه‌ی روشی برای تولید لایه‌های نازک دی‌سلنید مولیبدن شدند. این گروه، از این لایه نازک برای ساخت ترانزیستور استفاده کردند که نتایج نشان داد عملکرد ترانزیستورهای ساخته شده با این مواد بسیار بهتر از ترانزیستورهای رایج است.
لایه‌های نازک دی‌سلنید مولیبدن که ضخامتی به اندازه‌ی یک اتم دارند، دارای خواصی مشابه گرافن هستند و در برخی موارد عملکرد بهتری نسبت به گرافن دارند.
پولیک آجایان از محققان این پروژه می‌گوید: این روش جدید ما را قادر می‌سازد تا از خواص منحصربه فرد دی‌سلنید مولیبدن در حوزه‌های مختلف استفاده کنیم.
دی سلنید مولیبدن برخلاف گرافن، که در حال حاضر با ابعاد بزرگ تولید می شود، فرآیند سنتز بسیار دشواری دارد. در این پروژه ما موفق شدیم روشی کارا و پایدار برای تولید انبوه این ماده ارائه کنیم. ما قصد داریم تا از این روش برای تولید مواد دو بعدی دیگر نیز استفاده کنیم.
به گفته‌ي محققان از لایه‌های نازک دی‌سلنید مولیبدن برای تولید ترانزیستورهای اثرمیدان استفاده کردند.
نتایج نشان داد که ترانزیستور ساخته شده با لایه‌ی نازک دی‌سلنید مولیبدن دارای کارایی بالاتری نسبت به ترانزیستورهای رایج است. مزیت دیگر این ترانزیستور آن است که فرآیند ساخت آن ساده‌تر است. این گروه پژوهشی نشان دادند که سرعت تحرک الکترون در ترانزیستورهای اثر میدانی که آنها ساخته‌اند بسیار بیشتر از ترانزیستورهای دی‌سولفید مولیبدن رایج است.
در علم فیزیک حالت جامد، تحرک الکترون به سرعت حرکت الکترون در حین عبور از فلزات یا مواد نیمه‌هادی در حضور میدان الکتریکی گفته می‌شود. موادی که تحرک الکترونی در آنها بالاست، به دلیل کاهش اتلاف انرژی و تولید گرما، برای تولید ادوات الکترونیکی مناسب‌تر هستند.
انتهای پیام/
اطلاعیه مهم دادگستری کل استان مازندران
شناسایی مرد هزارچهره در ساری/ شاکیان به دادگستری مازندران مراجعه کنند