به گزارش خبرنگار
حوزه فن‌آوری‌های نوین گروه علمی پزشكی باشگاه خبرنگاران جوان در ساخت تجهیزات الکترونیکی نظیر ترانزیستورها، کوچک سازی یک اقدام لازم برای افزایش سرعت محاسبات در حجم کوچک است اما به دلیل مشکلات ساختاری، این کوچک سازی بدون استفاده از نانوساختارها نظیر نانوسیم‌ها، نقاط کوانتومی، نانولوله‌های کربنی و گرافن امکان پذیر نیست. از این رو مطالعات گسترده‌ای در جریان است تا ویژگی‌های این ساختارها مشخص شود.
دکتر پیمان نایبی، با اشاره به اینکه یکی از حوزه‌های تحقیقاتی اخیر، طراحی و ساخت قطعات بر پایه نانوساختارهاست، عنوان کرد: « در این پژوهش، برای اولین بار یک کلید با استفاده از یک پیوندگاه متشکل از نانوسیم سیلیکونی و نانولوله کربن طراحی شد. نتایج محاسبات و شبیه‌سازی‌ها نشان داده با تغییر شکل پیوندگاه مثلاً در اثر اعمال فشار، جریان الکتریکی عبوری از آن تغییر می‌کند. از این رو می‌توان دو حالت روشن و خاموش را ایجاد کرد.»
به گفته این محقق، بررسی انواع پیوندگاه‌ها در حوزه نیمه هادی‌ها و الکترونیک از اهمیت ویژه‌ای برخوردارست. در واقع تمامی قطعات نظیر دیودها و ترانیستورها از یک یا چند پیوندگاه تشکیل شده‌اند. در این کار، نوع جدیدی از پیوندگاه معرفی شده است که می‌تواند در ساخت نانو ترانزیستورها و قطعات اپتو الکترونیکی مورد استفاده قرار گیرد.
این نتایج تئوری می‌تواند در طراحی و ساخت قطعاتی نظیر کلید‌ها در علوم الکترونیک و صنایع مرتبط با میکروالکترومکانیک و فناوری مدارات مجتمع (VLSI) به کار رود. با توجه به سرعت بالای این کلید و حساسیت آن به تغییر شکل پیوندگاه به میزان چند نانومتر می‌توان فشارهای بسیار کم، حرکت‌ها و جابجایی‌هایی در حد نانومتر را آشکار کرد که کاربردهای فراوانی در ساخت انواع آشکارسازها و حسگرها دارد.
نایبی معتقد است: با توجه ساختار پیوندگاه پیشنهاد شده در این طرح که بر مبنای نانوساختارهاست، می‌توان انتظار داشت که در صورت تکمیل مطالعات و دستیابی به فناوری ساخت، شاهد ترانزیستورهایی با ابعاد کوچک و سرعت بالا بود.
نتایج این تحقیقات که حاصل تلاش‌های دکتر پیمان نایبی، عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد واحد ساوه و دکتر اسماعیل زمین پیما، عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد واحد قزوین است، در مجله Computational Materials Science منتشر شده است.
برای آگاهی از آخرین اخبار و پیوستن به کانال تلگرامی باشگاه خبرنگاران جوان
اینجا کلیک کنید.
انتهای پیام/