به گزارش خبرنگار فناوری‌های نوین باشگاه خبرنگاران؛ شرکت سامسونگ الکترونیک، از پیشگامان جهانی تولید فناوری حافظه، به تازگی تولید انبوه پیشرفته‌ترین حافظه DDR3 را آغاز نموده است. این حافظه بر فناوری جدید 20 نانومتری مبتنی بوده و در دامنه گسترده‌ای از کاربردهای رایانه استفاده می‌شود. شرکت سامسونگ با تعدیل فناوری الگودهی دوبل، شرایط جدیدی را ایجاد نموده و با استفاده از تجهیزات لیتوگرافی کنونی، حافظه‌های 20 نانومتری DDR3 را تولید نموده است. تولید DDR320 نانومتری، منجر به ایجاد یک فناوری محوری برای تولید نسل آتی DRAM طبقه 10 نانومتری خواهد شد.
متخصصان شرکت سامسونگ با کاربرد فناوری‌های جدید 20 نانومتری DDR3 DRAM، بهرهوری تولید را ارتقا داده، به طوری که بهرهوری فناوری جدید نسبت به فناوری 25 نانومتری قبلی، بیش از 30 درصد و نسبت به فناوری 30 نانومتری DDR3، بیش از دو برابر شده است.
همچنین قطعات مبتنی بر 20nm 4Gb DDR3 در مقایسه با قطعات موجود مبتنی بر فناوری فرایند 25 نانومتری، باعث صرفه‌جویی 25 درصدی در مصرف انرژی می‌گردند. این بهبود، پایه و اساس عرضه راهکارهای سازگار با محیط‌زیست بسیار پیشرفته برای شرکت‌های جهانی فعال در زمینه فناوری اطلاعات خواهد بود.
به گفته یانگ هوآن جون، معاون بازاریابی و فروش شرکت سامسونگ، کارایی انرژی DDR3 DRAM 20 نانومتری، باعث توسعه سریع بازار آن در صنعت فناوری اطلاعات و از جمله در بازار رایانه‌های شخصی و تلفن همراه خواهد شد.
بر اساس داده‌های مربوط به تحقیقات بازار گاتنر، ارزش بازار جهانی DRAM در سال 2013 میلادی، حدود 35.6 میلیارد دلار بوده است که انتظار می‌رود ارزش آن در سال 2014 میلادی به 37.9 میلیارد دلار افزایش یابد.
انتهای پیام/